近來，光伏逆變器市場迎來快速發(fā)展。中國光伏行業(yè)協(xié)會表示，到2025年，全球光伏逆變器的新增裝機量有望達到330GW。

　　國產(chǎn)IGBT需求在快速增加

　　光伏逆變器市場的快速發(fā)展也意味著，市場對于IGBT(光伏逆變器核心器件)的需求也在快速增加。

　　IGBT(全稱Insulate-Gate Bipolar Transistor)也叫絕緣柵雙極型晶體管，是光伏逆變器的核心器件。IGBT模塊占光伏逆變器價值量的15%至20%，不同的光伏電站需要的IGBT產(chǎn)品略有不同，比如集中式光伏主要采用IGBT模塊，而分部式光伏主要采用IGBT單管或模塊。

　　機構(gòu)認為，受益于下游光伏逆變器市場的發(fā)展，IGBT的市場規(guī)模有望突破百億元。

　　浙商證券分析稱，按照IGBT占組串式逆變器和集中式逆變器BOM成本(物料成本)的18%和15%計算，預計全球光伏逆變器用IGBT市場規(guī)模將以17.6%的增速擴大，到2025年市場規(guī)模將達到102.7億元。

　　但是，目前IGBT市場正面臨供給嚴重不足的困境。私募公司敦和資管在6月底的報告中指出，2022年全球IGBT的產(chǎn)能可以支撐60GW至70GW的新增光伏裝機量，如果光伏需求超預期，IGBT缺貨的現(xiàn)象將進一步加劇，成為制約光伏裝機的瓶頸。

　　今年上半年以來，海外IGBT大廠安森美半導體(ON.O)、英飛凌(IFNNY.F)等紛紛傳來消息稱其訂單已經(jīng)飽和，不再承接新訂單。實際上，雖然中國的光伏行業(yè)占到全球八成的產(chǎn)能，但是此前應(yīng)用于光伏的IGBT用的全部是這些海外廠家的芯片。

　　IGBT市場的持續(xù)缺貨為國產(chǎn)企業(yè)提供了機遇，今年開始，中國的IGBT企業(yè)開始大量地接到來自光伏側(cè)的訂單。

　　“現(xiàn)在IGBT市場嚴重供不應(yīng)求，而海外大廠對待擴產(chǎn)的態(tài)度又比較謹慎，產(chǎn)能增量不足以消化供需缺口，這些因素可以說是國產(chǎn)IGBT企業(yè)實現(xiàn)‘進口替代’的‘東風’了?！? 一位光伏業(yè)內(nèi)人士告訴第一財經(jīng)記者，“從去年開始，以陽光電源(300274.SZ)、固德威(688390.SH)等為代表的一些下游光伏逆變器廠商積極放量導入國產(chǎn)的IGBT產(chǎn)品，估計今年開始，國產(chǎn)IGBT廠商開始大量接到光伏企業(yè)的訂單了?！?/span>

　　一位處在IGBT產(chǎn)業(yè)鏈下游的光伏逆變器供應(yīng)商在接受第一財經(jīng)記者采訪時表示：“半導體芯片聽起來好像很高端，實際上在IGBT尤其是單管這塊本身的設(shè)計并不復雜。國內(nèi)企業(yè)隨著‘量’的不斷上升，工藝也比較穩(wěn)定，生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)高度自動化，跟外資品牌量產(chǎn)出來的基本上越來越接近了?！?/span>

　　“為什么外資會相應(yīng)地縮減IGBT單管的產(chǎn)能?因為外資也知道，中國國產(chǎn)的將來一定不比它們差，價格甚至比它們優(yōu)，所以它們沒有競爭力。但是，我們的中國廠商要想完成國產(chǎn)化替代，首先必須要把IGBT模塊、碳化硅這一塊都整齊了才能夠追趕上去?！鄙鲜龉夥孀兤鞴?yīng)商告訴第一財經(jīng)記者。

　　目前來看，可能替代英飛凌、安森美半導體、羅姆半導體等海外IGBT大廠的國產(chǎn)IGBT廠商“種子選手”包括，斯達半導(603290.SH)、士蘭微(600460.SH)、新潔能(605111.SH)、華潤微(688396.SH)、時代電氣(688187.SH)、聞泰科技(600745.SH)等。

　　“國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品正在陸續(xù)進入主流逆變器廠商供應(yīng)名單。”斯達半導此前在投資者平臺公開回復稱，“2021年，公司使用自主IGBT芯片的模塊和分立器件已在國內(nèi)主流光伏逆變器廠家如陽光電源大批量裝機應(yīng)用，預計接下來公司的市場份額會持續(xù)增加?！?/span>

　　士蘭微的相關(guān)人員表示：“IGBT訂單確實很多，我們已經(jīng)滿產(chǎn)了，現(xiàn)在重點聚焦在高端客戶和高門檻市場?！?/span>

　　華潤微方面也坦言，來自光伏行業(yè)的需求增加明顯，IGBT訂單增速太快，有些做不過來。

　　此外，國內(nèi)政策端的重視也是國產(chǎn)IGBT實現(xiàn)進口替代的“東風”之一。

　　2021年，我國發(fā)布了《國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》。綱要明確要求，集中優(yōu)勢資源攻關(guān)關(guān)鍵元器件零部件和基礎(chǔ)材料等行業(yè)，重點指出需要攻關(guān)IGBT和碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體的發(fā)展。

　　文章來源：光伏逆變器供不應(yīng)求 國產(chǎn)IGBT借“東風”實現(xiàn)替代?